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2541859NTHD2102PT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD2102PT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTHD2102PT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NTHD2102PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Leistung - max
    1.1W
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    NTHD2102PT1GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    715pF @ 6.4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 2.5V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    8V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.4A
  • Basisteilenummer
    NTHD2102P

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NTHD3102CT1G

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NTHD3101FT3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTHD3101FT1G

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NTH456AAT

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NTH503AF

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NTH567AD

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NTHD3101FT3G

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

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NTHD3100CT1

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NTH582AAT

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NTHC5513T1G

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 1206A

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NTH519AD

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NTHD2110TT1G

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NTHD3133PFT1G

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

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NTHD2102PT1

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NTHC5513T1

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NTHD3100CT1G

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NTHD3100CT3

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NTHD3100CT3G

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NTH456AANL

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NTH582AA

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