NTHD2110TT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTHD2110TT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTHD2110TT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ChipFET™
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1072pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTHD2110TT1G" -Einziper.

NTHD3133PFT3G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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