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NTLGD3502NT2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLGD3502NT2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLGD3502NT2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-DFN (3x3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Leistung - max

1.74W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-VDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.3A, 3.6A
Basisteilenummer

NTLGD3502N

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTLGD3502NT2G" -Einziper.

NTLJD3119CTAG

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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