NTLJD2104PTBG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLJD2104PTBG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLJD2104PTBG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 4.5V
Leistung - max

700mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

467pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.4A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.4A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTLJD2104PTBG" -Einziper.

NTLJD3183CZTBG

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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