NTLJS4114NTAG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLJS4114NTAG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLJS4114NTAG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.6A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTLJS4114NTAG" -Einziper.

NTLLD4951NFTWG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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