NTLTD7900ZR2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTLTD7900ZR2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTLTD7900ZR2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

Micro8™
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Leistung - max

1.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

NTLTD7900ZR2GOS
NTLTD7900ZR2GOS-ND
NTLTD7900ZR2GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.5W Surface Mount Micro8™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A
Basisteilenummer

NTLTD7900Z

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Versand
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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTLTD7900ZR2G" -Einziper.

NTLLD4901NFTWG

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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