NTMFS4839NHT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFS4839NHT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFS4839NHT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

870mW (Ta), 42.4W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2354pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43.5nC @ 11.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Ta), 64A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMFS4839NHT3G" -Einziper.

NTMFS4837NHT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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