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NTMFS4841NT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4841NT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFS4841NT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFS4841NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen

NTMFS4841NT1G-ND
NTMFS4841NT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1436pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.3A (Ta), 57A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.3A (Ta), 57A (Tc)

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Das Folgende sind "NTMFS4841NT1G" -Einziper.

NTMFS4839NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

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NTMFS4837NT3G

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NTMFS4847NAT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

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NTMFS4837NHT1G

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NTMFS4845NT1G

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NTMFS4841NHT1G

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NTMFS4846NT1G

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NTMFS4839NT1G

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4841NT3G

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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