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NTMFS4985NFT1G

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  • Artikelnummer
    NTMFS4985NFT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NTMFS4985NFT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    NTMFS4985NFT1GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17.5A (Ta), 65A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN

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NTMFS4962NFT1G

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