NTMS4937NR2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMS4937NR2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMS4937NR2G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)

810mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

NTMS4937NR2GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2563pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.6A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.6A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMS4937NR2G" -Einziper.

NTMS4873NFR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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