NTMSD2P102LR2

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMSD2P102LR2
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NTMSD2P102LR2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

710mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

NTMSD2P102LR2OS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.3A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTMSD2P102LR2" -Einziper.

NTMSD6N303R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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