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4362946NVB25P06T4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB25P06T4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVB25P06T4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVB25P06T4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    82 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    120W (Tj)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    NVB25P06T4G-ND
    NVB25P06T4GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    27.5A (Ta)

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Das Folgende sind "NVB25P06T4G" -Einziper.
NVB6412ANT4G

NVB6412ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVBP

NVBP

Beschreibung: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BFL4026-1E

BFL4026-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.5A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOTF11C60P

AOTF11C60P

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STW13NK50Z

STW13NK50Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
HUF75542P3

HUF75542P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STD150NH02LT4

STD150NH02LT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 150A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STL4LN80K5

STL4LN80K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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