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1743633NVB5860NLT4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB5860NLT4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVB5860NLT4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVB5860NLT4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    283W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13216pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 220A (Ta) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    220A (Ta)

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Das Folgende sind "NVB5860NLT4G" -Einziper.
NVB6412ANT4G

NVB6412ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFN44N80

IXFN44N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
BUZ73A H

BUZ73A H

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HUFA75337S3S

HUFA75337S3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPI70N04S307AKSA1

IPI70N04S307AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB25P06T4G

NVB25P06T4G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFX48N50Q

IXFX48N50Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRFR7746PBF

IRFR7746PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVBP

NVBP

Beschreibung: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Hersteller: Panduit
vorrätig
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