Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > NVC6S5A354PLZT1G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
352053NVC6S5A354PLZT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC6S5A354PLZT1G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.263
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVC6S5A354PLZT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVC6S5A354PLZT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-CPH
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.9W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    NVC6S5A354PLZT1G-ND
    NVC6S5A354PLZT1GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-CPH
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4A (Ta)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "NVC6S5A354PLZT1G" -Einziper.
IRF6785MTR1PBF

IRF6785MTR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPC60R199CPX1SA1

IPC60R199CPX1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BUK768R1-100E,118

BUK768R1-100E,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
STB33N65M2

STB33N65M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IXFA30N60X

IXFA30N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
BUK952R3-40E,127

BUK952R3-40E,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
VS-FC420SA10

VS-FC420SA10

Beschreibung: POWER MODULE 100V 435A SOT-227

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NVD5890NLT4G-VF01

NVD5890NLT4G-VF01

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IRFR9024NTRR

IRFR9024NTRR

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BUK9Y14-80E,115

BUK9Y14-80E,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
FQPF9N90CT

FQPF9N90CT

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK7905-40ATE,127

BUK7905-40ATE,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FQD4P25TM

FQD4P25TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.