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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > NVE4153NT1G

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NVE4153NT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVE4153NT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVE4153NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 600mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

300mW (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

NVE4153NT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.82nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

915mA (Ta)

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Das Folgende sind "NVE4153NT1G" -Einziper.

AON6566P

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 27A DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

PSMN012-100YLX

PSMN012-100YLX

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Hersteller: Nexperia

vorrätig

IRF520NSPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF1503SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

AON6510

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

BSS7728N

BSS7728N

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF610LPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RSM002P03T2L

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SS05N70AKMA1

SS05N70AKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IXTP80N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

FDBL0110N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

PSMN017-80PS,127

PSMN017-80PS,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IXFE39N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

FQI9N50CTU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMFS5C460NLT1G

NTMFS5C460NLT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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