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SI4654DY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4654DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 5.9W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4654DY-T1-GE3TR
    SI4654DYT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3770pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 28.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    28.6A (Tc)
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4660DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4635-A10-GM

SI4635-A10-GM

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4635-A10-GMR

SI4635-A10-GMR

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4668DY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

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