NVF3055-100T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVF3055-100T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVF3055-100T1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

NVF3055-100T1G-ND
NVF3055-100T1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVF3055-100T1G" -Einziper.

DMT5015LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

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