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3491271NVF6P02T3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVF6P02T3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVF6P02T3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVF6P02T3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223 (TO-261)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    8.3W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Andere Namen
    NVF6P02T3G-ND
    NVF6P02T3GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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Das Folgende sind "NVF6P02T3G" -Einziper.
FQD14N15TM

FQD14N15TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF3055L108T3G

NVF3055L108T3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF2955T1G

NVF2955T1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF2201NT1G

NVF2201NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF2955PT1G

NVF2955PT1G

Beschreibung: MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RCX081N20

RCX081N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 8A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS5692Z

FDS5692Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVF5P03T3G

NVF5P03T3G

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTH12N100L

IXTH12N100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NVF3055-100T1G

NVF3055-100T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SSM3J134TU,LF

SSM3J134TU,LF

Beschreibung: SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TSM60N380CP ROG

TSM60N380CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
NTTFS4C50NTWG

NTTFS4C50NTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFM460

IRFM460

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PMXB40UNE

PMXB40UNE

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
NTLUS3A90PZTBG

NTLUS3A90PZTBG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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