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NVGS4111PT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVGS4111PT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVGS4111PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    630mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    30 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.7A (Ta)

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Das Folgende sind "NVGS4111PT1G" -Einziper.
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EPC2203

EPC2203

Beschreibung: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STP160N75F3

STP160N75F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD2N105K5

STD2N105K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2

Beschreibung: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
STD46N6F7

STD46N6F7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
PMN52XPX

PMN52XPX

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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