TPH6R004PL,LQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH6R004PL,LQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH6R004PL,LQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 24.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 81W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH6R004PLLQ
Betriebstemperatur

175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 87A (Ta), 49A (Tc) 1.8W (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

87A (Ta), 49A (Tc)

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TPH7R204PL,LQ

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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