NVLUS4C12NTAG

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Spezifikation

Artikelnummer

NVLUS4C12NTAG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVLUS4C12NTAG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

630mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

NVLUS4C12NTAG-ND
NVLUS4C12NTAGOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A (Ta)

Das Folgende sind "NVLUS4C12NTAG" -Einziper.

FDMS7650

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIR808DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

STW40N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

AON6786_001

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

IXFQ94N30P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IPD60R650CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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NVS4001NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTTFS4930NTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

STF38N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

IRFZ34STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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NVLJD4007NZTBG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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AUIRF1405ZS-7TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi

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IRFI640G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GP1M016A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

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IRLR8726PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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NVLJD4007NZTAG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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IXTA18P10T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

BSC047N08NS3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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STF11NM80

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