Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > BSC047N08NS3GATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5463747BSC047N08NS3GATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC047N08NS3GATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$1.291
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSC047N08NS3GATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 90µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    BSC047N08NS3 G
    BSC047N08NS3 G-ND
    BSC047N08NS3 GTR-ND
    BSC047N08NS3G
    BSC047N08NS3GATMA1TR
    SP000436372
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 80V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Ta), 100A (Tc)
BSC046N02KS G

BSC046N02KS G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC0500NSIATMA1

BSC0500NSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC042N03ST

BSC042N03ST

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC0502NSIATMA1

BSC0502NSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC042N03S G

BSC042N03S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC050N03MSGATMA1

BSC050N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC048N025S G

BSC048N025S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC042N03MSGATMA1

BSC042N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC050N04LSGATMA1

BSC050N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC046N10NS3GATMA1

BSC046N10NS3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden