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  • Artikelnummer
    NVMFS5C670NLAFT3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVMFS5C670NLAFT3G.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 53µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1 mOhm @ 35A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    61W (Tc)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 17A (Ta), 71A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Ta), 71A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN

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