NVMFS5C680NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFS5C680NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

T6 60V S08FL SINGLE
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

NVMFS5C680NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.4W (Ta), 24W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen

NVMFS5C680NLT1GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 8.1A (Ta), 21A (Tc) 3.4W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.1A (Ta), 21A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFS5C680NLT1G" -Einziper.

NVMFS5C673NLAFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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