NVMFS6B03NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFS6B03NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NVMFS6B03NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.9W (Ta), 198W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5320pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 3.9W (Ta), 198W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFS6B03NLT1G" -Einziper.

NVMFS5C680NLWFT1G

Beschreibung: T6 60V S08FL SINGLE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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