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1038182NVMFS6H801NT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS6H801NT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVMFS6H801NT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRENCH 8 80V NFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    NVMFS6H801NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.8W (Ta), 166W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Andere Namen
    NVMFS6H801NT1GOSDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status
    Lead free
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4120pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 80V 23A (Ta), 157A (Tc) 3.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Ta), 157A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

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NVMFS6B75NLT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

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NVMFS6H818NT1G

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NVMFS6B85NLWFT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

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NVMFS6H818NWFT1G

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Beschreibung: TRENCH 8 80V NFET

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NVMFS6H801NWFT1G

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Beschreibung: TRENCH 8 80V NFET

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NVMS5P02R2G

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NVMSD6N303R2G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

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