6632020

NVMFS6B85NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFS6B85NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVMFS6B85NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

3.5W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen

NVMFS6B85NLT1G-ND
NVMFS6B85NLT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 5.6A (Ta), 19A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.6A (Ta), 19A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFS6B85NLT1G" -Einziper.

NVMFS6B85NLWFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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