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1170462RFD8P05-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RFD8P05

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFD8P05
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-251AA
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    48W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 50V 8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
RFDA0016TR7

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