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115196ALD110814PCL-Bild.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD110814PCL

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  • Artikelnummer
    ALD110814PCL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.42V @ 1µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    16-PDIP
  • Serie
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 5.4V
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Andere Namen
    1014-1028
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    4 N-Channel, Matched Pair
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    10.6V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12mA, 3mA
ALD110802SCL

ALD110802SCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110814SCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110808ASCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110808APCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

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ALD110808PCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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ALD110900ASAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

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ALD110902PAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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ALD110804SCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD1108ESCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110900PAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110902SAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

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ALD1108EPCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

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