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2238409ALD110904PAL-Bild.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD110904PAL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ALD110904PAL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    420mV @ 1µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-PDIP
  • Serie
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 4.4V
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Andere Namen
    1014-1036
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    10.6V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12mA, 3mA
ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110902SAL

ALD110902SAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
ALD110900ASAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110908APAL

ALD110908APAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD1110ESAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110902PAL

ALD110902PAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110914SAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110814PCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110914PAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110908PAL

ALD110908PAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD1108ESCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110900APAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
ALD110908SAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD1115MAL

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
ALD110900SAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
ALD110904SAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD110814SCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
ALD110900PAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD1108EPCL

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Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

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