AS4C16M16D2-25BCN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C16M16D2-25BCN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C16M16D2-25BCN.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

84-TFBGA (12.5x8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

84-TFBGA
Andere Namen

1450-1273
Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
Uhrfrequenz

400MHz
Zugriffszeit

400ps

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Das Folgende sind "AS4C16M16D2-25BCN" -Einziper.

AS4C16M16MD1-6BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16D2-25BCN

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