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AS4C16M16S-6TCNTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16S-6TCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C16M16S-6TCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C16M16S-6TCNTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C16M16S-6TCNTR" -Einziper.

AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7TCNTR

AS4C16M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7BCN

AS4C16M16S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TIN

AS4C16M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BANTR

AS4C16M16SA-6BANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7BCNTR

AS4C16M16S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7TCN

AS4C16M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

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