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1329261AS4C16M16S-6TINTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16S-6TINTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C16M16S-6TINTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C16M16S-6TINTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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AS4C16M16S-7BCNTR

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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6BAN

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AS4C16M16SA-6TANTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16S-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16MSA-6BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

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AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16MD1-6BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6BANTR

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AS4C16M16S-6TAN

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AS4C16M16S-6TIN

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AS4C16M16SA-6BIN

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AS4C16M16SA-6TAN

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AS4C16M16S-7TCN

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AS4C16M16MSA-6BIN

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AS4C16M16S-6BIN

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AS4C16M16S-7BCN

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