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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C2M32S-6BIN

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AS4C2M32S-6BIN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32S-6BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C2M32S-6BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C2M32S-6BIN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Andere Namen

1450-1147
AS4C2M32S-6BIN-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C2M32S-6BIN" -Einziper.

AS4C2M32S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1-5BCN

AS4C2M32D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1A-5BIN

AS4C2M32D1A-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1A-5BINTR

AS4C2M32D1A-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-6TINTR

AS4C2M32S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1-5TCN

AS4C2M32D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-5TCNTR

AS4C2M32S-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1A-5BCN

AS4C2M32D1A-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-7TCNTR

AS4C2M32S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1-5BIN

AS4C2M32D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1A-5BCNTR

AS4C2M32D1A-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32SA-6TCN

AS4C2M32SA-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-7BCNTR

AS4C2M32S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32D1-5TIN

AS4C2M32D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C2M32S-6BINTR

AS4C2M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C2M32S-6TCNTR

AS4C2M32S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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