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AS4C2M32D1A-5BCNTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C2M32D1A-5BCNTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    144-LFBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    144-LFBGA
  • Andere Namen
    1450-1397
    1450-1397-2
    1450-1397-ND
    AS4C2M32D1A-5BCNTR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (2M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    700ps
AS4C2M32D1A-5BCN

AS4C2M32D1A-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
AS4C256M8D3LB-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C2M32D1-5BIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32S-5TCN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32S-6BIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C2M32S-5TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32D1-5BCN

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AS4C256M8D3LA-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C256M8D3LB-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C2M32D1-5TIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M32S-6TIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32D1-5TCN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M32S-6TCN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32D1A-5BIN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

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AS4C2M32S-6TINTR

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AS4C2M32S-6BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C256M8D3LB-12BIN

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