AS4C32M16D1A-5TCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C32M16D1A-5TCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C32M16D1A-5TCNTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

66-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

700ps

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Das Folgende sind "AS4C32M16D1A-5TCNTR" -Einziper.

AS4C32M16D2A-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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