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1118426AS4C32M16D2-25BINTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D2-25BINTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C32M16D2-25BINTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C32M16D2-25BINTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-TFBGA (12.5x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    400ps

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1A-5TANTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2A-25BAN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1A-5TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2A-25BANTR

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AS4C32M16D1A-5TAN

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AS4C32M16D1A-5TIN

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AS4C32M16D2B-25BCN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M16D2B-25BIN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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