Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte Schaltungen (ICs) > Memory > AS4C32M16D3L-12BINTR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2219852AS4C32M16D3L-12BINTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D3L-12BINTR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2000+
$2.973
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C32M16D3L-12BINTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (13x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    96-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x8)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS4C32M16D3L-12BINTR" -Einziper.
AS4C32M16MD1-6BCN

AS4C32M16MD1-6BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3L-12BCNTR

AS4C32M16D3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3L-12BCN

AS4C32M16D3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3-12BCN

AS4C32M16D3-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3-12BIN

AS4C32M16D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3L-12BIN

AS4C32M16D3L-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MS-7BCNTR

AS4C32M16MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D2B-25BCNTR

AS4C32M16D2B-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D2B-25BIN

AS4C32M16D2B-25BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1-5BINTR

AS4C32M16MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3-12BCNTR

AS4C32M16D3-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D3-12BINTR

AS4C32M16D3-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16MD1-5BIN

AS4C32M16MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C32M16D2B-25BINTR

AS4C32M16D2B-25BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.