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AS4C512M32MD3-15BCNTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C512M32MD3-15BCNTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    AS4C512M32MD3-15BCNTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    178-FBGA (11.5x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    178-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (512M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (512M x 32) Parallel 667MHz 178-FBGA (11.5x11)
  • Uhrfrequenz
    667MHz

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AS4C512M8D3A-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M32SA-7TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C512M8D3-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C512M8D3-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C512M8D3-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M32SA-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C512M16D3L-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32SA-6TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C512M16D3L-12BINTR

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AS4C512M8D3-12BAN

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