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1113903AS4C512M8D3-12BIN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3-12BIN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C512M8D3-12BIN
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Andere Namen
    1450-1107
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    20ns
AS4C512M8D3-12BANTR

AS4C512M8D3-12BANTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3B-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3A-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C512M8D3-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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AS4C512M8D3B-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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