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AS4C512M8D3LB-12BINTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3LB-12BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C512M8D3LB-12BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C512M8D3LB-12BINTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.283 V ~ 1.45 V
Technologie

SDRAM - DDR3L
Supplier Device-Gehäuse

78-FBGA (10.5x9)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

78-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

20ns

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AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LB-12BCN

AS4C512M8D3LB-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1A-6TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LA-12BCNTR

AS4C512M8D3LA-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M16D1-6TIN

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C512M8D3LA-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C512M8D3LA-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C512M8D3LB-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M16D2-25BAN

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C512M8D3LA-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M16D1A-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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