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AS4C64M16D1-6TINTR

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  • Artikelnummer
    AS4C64M16D1-6TINTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    AS4C64M16D1-6TINTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    700ps

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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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