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AS4C64M4SA-6TINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C64M4SA-6TINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C64M4SA-6TINTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (64M x 4)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C64M4SA-6TINTR" -Einziper.

AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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