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962141AS4C64M4SA-7TCN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M4SA-7TCN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C64M4SA-7TCN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    AS4C64M4SA-7TCN.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    1450-1442
    AS4C64M4SA-7TCN-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 143MHz 5.5ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns

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Das Folgende sind "AS4C64M4SA-7TCN" -Einziper.
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BAN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M32MD1-5BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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