Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C64M8D2-25BCNTR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6200135AS4C64M8D2-25BCNTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D2-25BCNTR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2000+
$3.354
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C64M8D2-25BCNTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C64M8D2-25BCNTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    400ps

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS4C64M8D2-25BCNTR" -Einziper.
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D3-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C64M8D3-12BCNTR

AS4C64M8D3-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.