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AS4C64M8D3L-12BIN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3L-12BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C64M8D3L-12BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C64M8D3L-12BIN.pdf
Spannungsversorgung

1.283 V ~ 1.45 V
Technologie

SDRAM - DDR3
Supplier Device-Gehäuse

78-FBGA (8x10.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

78-VFBGA
Andere Namen

1450-1432
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

20ns

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Das Folgende sind "AS4C64M8D3L-12BIN" -Einziper.

AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D3-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3-12BCNTR

AS4C64M8D3-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

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