Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte Schaltungen (ICs) > Memory > AS6C1016-55ZIN
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2915488AS6C1016-55ZIN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS6C1016-55ZIN

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$2.43
10+
$2.189
25+
$2.154
50+
$2.148
135+
$1.92
270+
$1.857
540+
$1.85
1080+
$1.723
5130+
$1.559
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS6C1016-55ZIN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS6C1016-55ZIN.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    1450-1021
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    55ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS6C1016-55ZIN" -Einziper.
AS6C1008-55TINTR

AS6C1008-55TINTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55TIN

AS6C1008-55TIN

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1608-55TINTR

AS6C1608-55TINTR

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1616-55BIN

AS6C1616-55BIN

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55STIN

AS6C1008-55STIN

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1016-55BINTR

AS6C1016-55BINTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55TINL

AS6C1008-55TINL

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55TINLTR

AS6C1008-55TINLTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1016-55BIN

AS6C1016-55BIN

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55STINL

AS6C1008-55STINL

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1616-55TINL

AS6C1616-55TINL

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1608-55TIN

AS6C1608-55TIN

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1616-55TIN

AS6C1616-55TIN

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1608-55BIN

AS6C1608-55BIN

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1616-55TINLTR

AS6C1616-55TINLTR

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1608-55BINTR

AS6C1608-55BINTR

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55STINLTR

AS6C1008-55STINLTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1016-55ZINTR

AS6C1016-55ZINTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1008-55STINTR

AS6C1008-55STINTR

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS6C1616-55BINTR

AS6C1616-55BINTR

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.