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4550814AO9926BL-Bild.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AO9926BL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AO9926BL
  • Hersteller / Marke
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AO9926BL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 7.6A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.5nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.6A 2W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.6A

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Das Folgende sind "AO9926BL" -Einziper.
SI6966DQ-T1-GE3

SI6966DQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ECH8651R-TL-HX

ECH8651R-TL-HX

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO6601L

AO6601L

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6TSOP

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FDMA1029PZ

FDMA1029PZ

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO9926C

AO9926C

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AO9926B

AO9926B

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
QS6J1TR

QS6J1TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF9953

IRF9953

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMC3026LSD-13

DMC3026LSD-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VEC2616-TL-H-Z-W

VEC2616-TL-H-Z-W

Beschreibung: PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
PMDPB56XN,115

PMDPB56XN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SMA5133

SMA5133

Beschreibung: MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
IRF7504TR

IRF7504TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AO9926BL_101

AO9926BL_101

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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