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4238269DMN63D8LDWQ-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN63D8LDWQ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN63D8LDWQ-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN63D8LDWQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    DMN63D8LDWQ-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    220mA

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DMN65D8LDWQ-7

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN63D8LW-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDW-13

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN63D8LDW-7

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

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