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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > AOH3106

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6602730

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3106

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Spezifikation

Artikelnummer

AOH3106
Hersteller / Marke

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.AOH3106.pdf
2.AOH3106.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 2A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Ta)

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Das Folgende sind "AOH3106" -Einziper.

SQ7002K-T1-GE3

SQ7002K-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

NTS4101PT1

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EPC2014

Beschreibung: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

NTMFS4937NCT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IXTP160N04T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IRLZ44SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IPW65R125C7XKSA1

IPW65R125C7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

NP95N03ZUGP-E1

NP95N03ZUGP-E1

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

FDMS86150ET100

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FCH125N65S3R0-F155

FCH125N65S3R0-F155

Beschreibung: SUPERFET3 650V TO247 PKG

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

TSM80N1R2CP ROG

TSM80N1R2CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

FQI1P50TU

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD1N80TF

FQD1N80TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IXFL39N90

IXFL39N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

AOH3110

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A SOT223

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

AOH3254

AOH3254

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

SI1012X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DMN61D9U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

STFI13N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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